交联电缆屏蔽层的电容值通常在 0.13μF/km 至 0.334μF/km 之间，具体数值受电压等级、导体截面积及绝缘材料影响。以下是对该问题的详细分析：

一、屏蔽层电容的构成与影响因素

交联电缆的屏蔽层电容主要由导体与金属屏蔽层之间的绝缘介质形成。其电容值受以下因素影响：

1. 绝缘材料：交联聚乙烯（XLPE）作为常用绝缘材料，其相对介电常数约为2.5，直接影响电容值。

2. 导体截面积：导体截面积越大，导体与屏蔽层之间的间距可能变化，从而影响电容值。

3. 电压等级：高压电缆（如110kV及以上）的绝缘层更厚，电容值通常低于中低压电缆。

二、典型电容值范围

1. 中低压电缆（10kV及以下）：

• 屏蔽电缆的工作电容约为 0.334μF/km（以交联聚乙烯为绝缘材料时）。

• 同规格非屏蔽电缆的电容一般为 0.13μF/km 至 0.22μF/km，屏蔽电缆的电容约为非屏蔽电缆的1.5至2.5倍。

2. 高压电缆（110kV及以上）：

• 电容值通常更低，具体数值需根据导体截面积和绝缘厚度计算。例如，某110kV电缆的单位长度电容可能低至 0.1μF/km 以下。

三、电容值的计算与标准

1. 计算公式：

• 电缆工作电容的计算公式为：
  $C=\frac{18\ln (D/d)}{\pi }(\mu F/km)$
  其中，$D$ 为电缆绝缘外径（mm），$d$ 为电缆绝缘内径（mm）。

• 该公式表明，电容值与绝缘层厚度（$D-d$）成反比，与导体直径（$d$）的对数成正比。

2. 标准要求：

• GB/T 11017和GB/Z 18890规定，电缆电容的实测值应不大于计算值的108%。

• 电容值过大可能导致充电电流和介质损耗增加，进而引发电缆温升，影响使用寿命。

四、电容值对电缆性能的影响

1. 充电电流与介质损耗：

• 电容值越大，充电电流越大，介质损耗越高，可能导致电缆温升。

• 例如，某中压电缆的电容值为0.334μF/km时，其介质损耗可能比同规格非屏蔽电缆高50%以上。

2. 电磁干扰与屏蔽效能：

• 屏蔽层电容与屏蔽效能密切相关。电容值过大可能降低屏蔽层对高频干扰的抑制能力。

• 实际工程中，需通过优化屏蔽层材料（如半导电材料）和结构（如挤包工艺）来平衡电容值与屏蔽效能。